Схема транзистора n-p-n
Эмиттер (E): Высоколегированная область n-типа, из которой электроны инжектируются в базу.
База (B): Слабо легированная область p-типа, регулирующая поток электронов из эмиттера в коллектор.
Коллектор (C): Высоколегированная область n-типа, собирающая электроны, инжектируемые из эмиттера.
Рабочие режимы:
* Активный: База смещена в прямом направлении относительно эмиттера, а коллектор — в обратном направлении. Электроны инжектируются из эмиттера в базу, а затем собираются коллектором.
* Отсечки: База смещена в обратном направлении относительно эмиттера. Электроны не инжектируются в базу, поэтому ток коллектора практически отсутствует.
* Насыщения: База смещена в прямом направлении относительно как эмиттера, так и коллектора. База инжектирует электроны в коллектор, а эмиттер — в базу. Ток коллектора практически не зависит от напряжения коллектор-эмиттер.
Характеристики транзистора n-p-n:
Входные характеристики: График зависимости тока базы (Iв) от напряжения база-эмиттер (Vвэ).
Выходные характеристики: График зависимости тока коллектора (Iк) от напряжения коллектор-эмиттер (Vкэ) при различных значениях тока базы.
Частотные характеристики: Характеристики, показывающие частотный диапазон, в котором транзистор может усиливать сигналы.
Условное графическое обозначение:
